Presentation Information
[10p-E310-4]Unraveling etching mechanism for SiN film in cryogenic hydrogen-fluoride plasmas
〇Shih-Nan Hsiao1, Yusuke Imai1, Makoto Sekine1, Ryutaro Suda2, Yoshihide Kihara2, Kenji Ishikawa1, Masaru Hori1 (1.Nagoya University, 2.Tokyo Electron Ltd. Miyagi)
Keywords:
cryogenic etching,silicon nitride,plasma
高積層3D NAND構造における高アスペクト比コンタクトホール（HARC）などの深穴エッチング技術では、加工精度、エッチング速度(ER)、形状制御の高度化が強く求められている。このような背景のもと、低温環境を利用した3D NAND向けの超高速エッチングプロセスが近年報告されている。最近、フッ化水素(HF）プラズマを用いたSiO2の低温エッチングの反応機構を解明された。しかし、窒化膜(SiN)の低温エッチングの詳細なメカニズムは未解明であった。本課題は、HFプラズマを用いたSiNの低温エッチングの反応機構を、分光エリプソメトリや減衰全反射フーリエ変換赤外分光法(ATR- FTIR)のその場計測技術を用いて調査した。