講演情報
[10p-E310-4]HFプラズマによる窒化膜のクライオエッチング機構の解明
〇蕭 世男1、今井 祐輔1、関根 誠1、須田 隆太郎2、木原 嘉英2、石川 健治1、堀 勝1 (1.名古屋大学、2.東京エレクトロン宮城)
キーワード：
クライオエッチング、窒化膜、プラズマ
高積層3D NAND構造における高アスペクト比コンタクトホール（HARC）などの深穴エッチング技術では、加工精度、エッチング速度(ER)、形状制御の高度化が強く求められている。このような背景のもと、低温環境を利用した3D NAND向けの超高速エッチングプロセスが近年報告されている。最近、フッ化水素(HF）プラズマを用いたSiO2の低温エッチングの反応機構を解明された。しかし、窒化膜(SiN)の低温エッチングの詳細なメカニズムは未解明であった。本課題は、HFプラズマを用いたSiNの低温エッチングの反応機構を、分光エリプソメトリや減衰全反射フーリエ変換赤外分光法(ATR- FTIR)のその場計測技術を用いて調査した。