Presentation Information
[10p-PA2-25]Growth of hexagonal ZnSnN2 layer by UHV sputter epitaxy method (V)
〇(M1)Shuji Yamaguchi1, Kaito Horikoshi1, Daito Imai1, Yukihiro Miyazawa1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
sputter epitaxy,semiconductor,hexagonal ZnSnN2
昨今の半導体需要の拡大により，新材料を用いた半導体デバイスの開発が進められている．そこで，GaNやInNなどのIII族窒化物半導体の代替材料として，II-IV-N2族半導体が関心を集めている．我々はこれまで，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて，c面サファイア基板上へZnSnN2層の成長を行ってきた．今回は，成長時のガス圧力を変化させてZnSnN2層の成長を行い，表面形態や結晶性等について検討を行ったので報告する．