講演情報
[10p-PA2-25]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN2層の成長（V）
〇(M1)山口 修志1、堀越 快人1、今井 大斗1、宮澤 幸大1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
スパッタエピタキシー、半導体、六方晶ZnSnN2
昨今の半導体需要の拡大により，新材料を用いた半導体デバイスの開発が進められている．そこで，GaNやInNなどのIII族窒化物半導体の代替材料として，II-IV-N2族半導体が関心を集めている．我々はこれまで，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて，c面サファイア基板上へZnSnN2層の成長を行ってきた．今回は，成長時のガス圧力を変化させてZnSnN2層の成長を行い，表面形態や結晶性等について検討を行ったので報告する．