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[10p-PA2-26]Low-Temperature Sputter Epitaxy of InN-Rich (ZnO)_x(InN)_1-x Films: Suppression of Surface Roughening Using 3D buffers

〇(M2)Satoshi Kumamoto¹, Shotaro Hata¹, Takuya Takahashi¹, Kunihiro Kamataki¹, Takamasa Okumura¹, Haruki Kiyama¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:

sputtering,epitaxial growth,ZION

(ZnO)_x(InN)_1-x（ZION）はバンドギャップ制御性を有する次世代光電子材料であるが，高InN組成ではサファイアとの格子不整合とIn-N結合の熱的不安定性により平坦なエピタキシャル膜形成が困難である．本研究では3D-ZnOバッファ層とN₂スパッタ成膜を組み合わせ，(ZnO)_0.3(InN)_0.7膜のc軸配向性向上とRMSラフネス低減を実証した．

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[10p-PA2-26]Low-Temperature Sputter Epitaxy of InN-Rich (ZnO)x(InN)1-x Films: Suppression of Surface Roughening Using 3D buffers

Keywords:

[10p-PA2-26]Low-Temperature Sputter Epitaxy of InN-Rich (ZnO)_x(InN)_1-x Films: Suppression of Surface Roughening Using 3D buffers