講演情報
[10p-PA2-26]高InN組成(ZnO)x(InN)1-x膜の低温スパッタエピタキシー： 3Dバッファによる表面粗化抑制
〇(M2)熊本 聖1、畑 昌太朗1、高橋 卓也1、鎌滝 晋礼1、奥村 賢直1、木山 治樹1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)
キーワード：
スパッタリング、エピタキシャル成長、ZION
(ZnO)x(InN)1-x（ZION）はバンドギャップ制御性を有する次世代光電子材料であるが，高InN組成ではサファイアとの格子不整合とIn-N結合の熱的不安定性により平坦なエピタキシャル膜形成が困難である．本研究では3D-ZnOバッファ層とN2スパッタ成膜を組み合わせ，(ZnO)0.3(InN)0.7膜のc軸配向性向上とRMSラフネス低減を実証した．