Presentation Information
[10p-PA2-29]Development of a Single-Molecule-Electret Thin-Film Deposition Method for Next-generation Memory Devices.
〇Ryota Shoji1, Yuki Nakano1, Chisato Kato1, Masaru Fujibayashi2, Sadahumi Nishihara3,4 (1.Materialgate Inc., 2.NIT, Ube College, 3.Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima Univ., 4.CResCent, Hiroshima Univ.)
Keywords:
Single-Molecule-Electret,Ferroelectric material,Thin-Film Deposition Method
近年、社会課題となっているAI等の急速な発展による情報処理量の増大とそれに伴う消費電力の大幅な増加への解決策として、省電力性に優れる強誘電体メモリは課題解決手段の一つとして注目を集めてきた。今回我々は単一分子で恰も強誘電体的振る舞いを示す単分子誘電体を用いた薄膜を作製し電気特性評価を試みた。