講演情報
[10p-PA2-29]次世代メモリーに資する新たな単分子誘電体成膜手法の開発と発展
〇東海林 良太1、中野 佑紀1、加藤 智佐都1、藤林 将2、西原 禎文3,4 (1.株式会社マテリアルゲート、2.宇部高専、3.広島大院先進理工、4.広島大キラル国際研究拠点)
キーワード：
単分子誘電体、強誘電体、薄膜成膜手法
近年、社会課題となっているAI等の急速な発展による情報処理量の増大とそれに伴う消費電力の大幅な増加への解決策として、省電力性に優れる強誘電体メモリは課題解決手段の一つとして注目を集めてきた。今回我々は単一分子で恰も強誘電体的振る舞いを示す単分子誘電体を用いた薄膜を作製し電気特性評価を試みた。