[10p-PA2-1~38] 6.4 Thin films and New materials

[10p-PA2-4] Fabrication and characterization of N-doped GeTe/Sb₂Te₃ phase-change multilayer thin films

〇(D)Shota Yoshimoto¹, Ryohei Izumi¹, Kazuki Matsuda¹, Shuo Li¹, You Yin¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:

phase-change material

本研究では多値記録可能な相変化デバイスへの応用を目的として、N添加GeTe/Sb₂Te₃相変化多層膜の作製し、抵抗率、結晶構造について評価した。