[10p-PA2-1~38] 6.4 薄膜新材料

[10p-PA2-4] N 添加 GeTe/Sb₂Te₃相変化多層膜の作製及び評価

〇(D)吉本 匠汰¹、泉 亮平¹、松田 和希¹、李 碩¹、尹 友¹ (1.群馬大理工)

キーワード：

相変化材料

本研究では多値記録可能な相変化デバイスへの応用を目的として、N添加GeTe/Sb₂Te₃相変化多層膜の作製し、抵抗率、結晶構造について評価した。