[10p-S1-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

6:30 PM - 6:45 PM JST(9:30 AM - 9:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-S1-19] Low temperature bonding for copper film on Si substrate using hydrogen plasma treatment

〇Atsuto Nishimura¹, Masato Ota¹, Tsubasa Kobayashi¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.UOsaka)

Keywords:

semiconductor,interconnect,3D packaging

電子デバイスの高密度実装に向けて配線材料であるCuの低温直接接合は必須の技術となっている。我々は、廉価で低環境負荷な水素ガスを用いたプラズマ処理を援用し、水素が発現する効果を利活用した低温金属接合法を提案している。今回は、水素プラズマ処理を援用してSi基板上のCu薄膜の低温接合を実現し、さらにプラズマ処理後24時間の大気曝露した試料においても、強固な引張強度を示す接合が可能であることを実証した。