講演情報
[10p-S1-19]水素プラズマ処理を援用したSi基板上銅薄膜の低温接合
〇西村 篤人1、太田 雅斗1、古林 翼1、垣内 弘章1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)
キーワード：
半導体、配線接合、3次元実装
電子デバイスの高密度実装に向けて配線材料であるCuの低温直接接合は必須の技術となっている。我々は、廉価で低環境負荷な水素ガスを用いたプラズマ処理を援用し、水素が発現する効果を利活用した低温金属接合法を提案している。今回は、水素プラズマ処理を援用してSi基板上のCu薄膜の低温接合を実現し、さらにプラズマ処理後24時間の大気曝露した試料においても、強固な引張強度を示す接合が可能であることを実証した。