[10p-S1-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-S1-9] Size dependence in electrical resistivity of topological semimetal Cu-Pd alloys

〇(M1)Masahiro Kushibiki¹, Mihyeon Kim¹, Yuta Saito^1,2 (1.Tohoku Univ., 2.GXT, Tohoku Univ.)

Keywords:

interconnect material,topological semimetal,scaling

半導体の微細化に伴い、従来のCu配線は寸法縮小とともに電気抵抗率が急増する課題を抱える。一方、トポロジカル半金属は保護された表面状態により、微細領域で抵抗率が減少すると期待される。本研究では、強いスピン軌道相互作用を持つPdをCuに合金化し、微細領域でのトポロジカル特性を付与することによる低抵抗の維持を狙ってCu-Pd合金薄膜を作製した。当日は、Cu-Pd合金の抵抗率の膜厚依存性について報告する。