講演情報
[10p-S1-9]トポロジカル半金属Cu-Pd合金における電気抵抗率のサイズ依存性
〇(M1)櫛引 優宏1、金 美賢1、齊藤 雄太1,2 (1.東北大院工、2.東北大GXT)
キーワード：
配線材料、トポロジカル半金属、微細化
半導体の微細化に伴い、従来のCu配線は寸法縮小とともに電気抵抗率が急増する課題を抱える。一方、トポロジカル半金属は保護された表面状態により、微細領域で抵抗率が減少すると期待される。本研究では、強いスピン軌道相互作用を持つPdをCuに合金化し、微細領域でのトポロジカル特性を付与することによる低抵抗の維持を狙ってCu-Pd合金薄膜を作製した。当日は、Cu-Pd合金の抵抗率の膜厚依存性について報告する。