[11a-A13-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-A13-1] Robust Optimization of Processing Conditions for SiC Laser Slicing Using a Quality Prediction Model

〇Akihiro Yasukawa¹, Keiichi Osada¹, Tsuyoshi Naya², Hiuma Iwase², Takashi Kawabata², Masaki Takaishi¹ (1.Aixtal, 2.Nakamura-Tome)

Keywords:

machine learning,laser slicing,optimization

SiCのレーザスライシング加工では、光吸収係数の面内変動により実効エネルギーがばらつくため加工痕が不均一となる。本研究では、学習した加工品質予測モデルを用い、予測品質スコア最大化と、エネルギー低下時の品質スコア低下量最小化を目的とする多目的ロバスト最適化を実施した。最適化で得た条件を6インチSiCウエハ全面照射で検証し、光吸収特性のばらつきに対して均一な加工痕形成を確認した。