[11a-A21-1~6] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

12:15 PM - 12:30 PM JST(3:15 AM - 3:30 AM UTC)

[11a-A21-6] Ion species dependence of depth profiles and electronic stopping in channeling implantation into GaN

〇Hideaki Minagawa¹, Kazuhiro Yokota¹, Masahiko Aoki¹, Atsushi Suyama¹ (1.Ion Technology Center, Co., Ltd.)

Keywords:

GaN,channeling implantation,simulation

GaNへのチャネリングイオン注入は欠陥生成を抑制可能だが、深さ分布予測が困難である。本研究ではC、O、F、Mg、SiをGaNへチャネリング注入し、SIMSで深さ分布を評価した。MARLOWEコードによるシミュレーションで実験結果を再現し、分布予測に必要なパラメータを検討した。結果として、分布テール形状は原子番号と単純相関せず、チャネリング時の電子的阻止能におけるZ1振動の影響を示唆している。