講演情報
[11a-A21-6]GaNへのチャネリングイオン注入における深さ分布と電子的阻止能のイオン種依存性
〇南川 英輝1、横田 一広1、青木 正彦1、須山 篤志1 (1.株式会社イオンテクノセンター)
キーワード：
GaN、チャネリング注入、シミュレーション
GaNへのチャネリングイオン注入は欠陥生成を抑制可能だが、深さ分布予測が困難である。本研究ではC、O、F、Mg、SiをGaNへチャネリング注入し、SIMSで深さ分布を評価した。MARLOWEコードによるシミュレーションで実験結果を再現し、分布予測に必要なパラメータを検討した。結果として、分布テール形状は原子番号と単純相関せず、チャネリング時の電子的阻止能におけるZ1振動の影響を示唆している。