[11a-B32-1~11] 6.4 Thin films and New materials

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-B32-6] Epitaxial β-In₂S₃ thin films grown via vertical chemical vapor deposition

〇Yuuta Tanaka¹, Yanase Takashi¹ (1.Toho Univ.)

Keywords:

indium sulfide,thin film,chemical vapor deposition

Ⅲ-Ⅵ族n型半導体であるβ-In₂S₃は光電変換素子への応用が期待されている。本研究では独自開発した縦型化学気相蒸着装置 (VCVD) を利用してIn₂S₃薄膜の合成技術の確立を目指した。従来のCVDと比べ均一で再現性の高い蒸着が期待される。得られたオレンジの基板を光学顕微鏡像で観察すると一方向に配向した三角結晶が確認できた。XRD及びRamanスペクトルから(103) 方向に配向成長したβ-In₂S₃であると確認できた。