講演情報
[11a-B32-6]縦型化学気相蒸着法によるエピタキシャルβ-In2S3薄膜の合成
〇田中 優歌1、柳瀨 隆1 (1.東邦大理)
キーワード：
硫化インジウム、薄膜、化学気相蒸着法
Ⅲ-Ⅵ族n型半導体であるβ-In2S3は光電変換素子への応用が期待されている。本研究では独自開発した縦型化学気相蒸着装置 (VCVD) を利用してIn2S3薄膜の合成技術の確立を目指した。従来のCVDと比べ均一で再現性の高い蒸着が期待される。得られたオレンジの基板を光学顕微鏡像で観察すると一方向に配向した三角結晶が確認できた。XRD及びRamanスペクトルから(103) 方向に配向成長したβ-In2S3であると確認できた。