[11a-C309-1~14] 15.5 Group IV crystals and alloys

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[11a-C309-10] Study on atomic arrangement of bulk SiGe observed by X-ray diffraction at low-temperature with synchrotron radiation

〇Ryo Yokogawa^1,2,3, Akitoshi Nakano⁴, Yasutomo Arai⁵, Ichiro Yonenaga⁶, Taishun Manjo⁷, Satoshi Tsutsui⁷, Yuiga Nakamura⁷, Atsushi Ogura^3,8 (1.RISE, Hiroshima Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Hiroshima Univ., 3.MREL, 4.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 5.JAXA, 6.Tohoku Univ., 7.JASRI, 8.Meiji Univ.)

Keywords:

SiGe,XRD,Reciprocal space mapping

SiGeの原子配列は微視的な熱特性と電子バンド構造を規定するため、厳密な把握が重要となる。これまで放射光X線回折(XRD)で得られた散漫散乱分布からSiGe内の同種原子が結合しやすい傾向を捉えた。しかし、熱散漫散乱も含まれており、局所的な規則性で生じる散漫散乱と完全に分離できていなかった。そこで本研究では放射光XRDを低温で実施し、熱散漫散乱を除去した上で比較検討を行ったので報告する。