講演情報
[11a-C309-10]低温放射光X線回折によるバルクSiGeの原子配列に関する考察
〇横川 凌1,2,3、中埜 彰俊4、荒井 康智5、米永 一郎6、萬條 太駿7、筒井 智嗣7、中村 唯我7、小椋 厚志3,8 (1.広大RISE、2.広大院先進理工、3.明大MREL、4.名大院工、5.JAXA、6.東北大、7.JASRI、8.明大理工)
キーワード：
SiGe、XRD、逆格子マップ
SiGeの原子配列は微視的な熱特性と電子バンド構造を規定するため、厳密な把握が重要となる。これまで放射光X線回折(XRD)で得られた散漫散乱分布からSiGe内の同種原子が結合しやすい傾向を捉えた。しかし、熱散漫散乱も含まれており、局所的な規則性で生じる散漫散乱と完全に分離できていなかった。そこで本研究では放射光XRDを低温で実施し、熱散漫散乱を除去した上で比較検討を行ったので報告する。