Presentation Information
[11a-C309-3]Evaluation of Strain Distribution in Si1-xGex/Si1-yGey (100) Heteroepitaxial Thin Films by Raman Mapping Measurement
〇Hiromu Kudo1, Yuta Ito1,2, Yuji Yamamoto3, Naomi Sawamoto4, Atsushi Ogura1,4 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.IHP, 4.MREL)
Keywords:
SiGe heteroepitaxial,cross hatch,strain
SiGeを用いた多層構造は、次世代型GAA FETの実現において重要な役割を担うと期待されている。一方、SiGe/Si(100)構造では歪み緩和によりクロスハッチ構造が形成されることが知られており、SiGe仮想基板上のSiGe/SiGeヘテロ構造ではVS由来およびヘテロ界面由来のクロスハッチが共存すると考えられる。本研究ではラマンマッピングを用いて両者の寄与を分離して評価する。