講演情報
[11a-C309-3]ラマンマッピング測定を用いたSi1-xGex/Si1-yGey (100)ヘテロ構造おける歪み分布評価
〇工藤 大夢1、伊藤 佑太1,2、山本 裕司3、澤本 直美4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.IHP、4.明大MREL)
キーワード：
SiGeヘテロエピタキシャル、クロスハッチ、歪み
SiGeを用いた多層構造は、次世代型GAA FETの実現において重要な役割を担うと期待されている。一方、SiGe/Si(100)構造では歪み緩和によりクロスハッチ構造が形成されることが知られており、SiGe仮想基板上のSiGe/SiGeヘテロ構造ではVS由来およびヘテロ界面由来のクロスハッチが共存すると考えられる。本研究ではラマンマッピングを用いて両者の寄与を分離して評価する。