[11a-C309-1~14] 15.5 Group IV crystals and alloys

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-C309-8] Investigation of minority carrier lifetime enhancement in SiGe layers fabricated by screen-printing of Al–Ge paste and subsequent annealing through thermal oxidation treatment

〇Kenta YAgi¹, Ryoji Katsube¹, Shota Suzuki², Hideaki Minamiyama², Marwan Dhamrin^2,3, Yasuyoshi Kurokawa^1,4, Noritaka Usami^1,5,6 (1.Nagoya Univ., 2.Toyo Aluminium K.K., 3.Osaka Univ., 4.Kansai Univ., 5.InFuS, Nagoya Univ., 6.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

SiGe,semiconductor,solar cell

Al–Geペーストの印刷・焼成プロセスで作製したSiGe層に対し、Al濃度低減を目的とした熱酸化処理を施し、µ-PCDにより少数キャリア寿命への影響を評価した。酸化時間の増加に伴いAuger再結合に起因する短寿命成分τ₁は増加した一方、SRH再結合に起因する長寿命成分τ₂は減少し、高濃度Alドーピングによる再結合の抑制と、別の再結合要因の発生が示唆された。講演ではTOF-SIMSによるAl濃度の評価結果も併せて報告する。