講演情報
[11a-C309-8]熱酸化処理によるAl–Geペーストの印刷・焼成プロセスで作製したSiGe層の少数キャリア寿命増大可能性の検証
〇八木 健太1、勝部 涼司1、鈴木 紹太2、南山 偉明2、ダムリン マルワン2,3、黒川 康良1,4、宇佐美 徳隆1,5,6 (1.名大院工、2.東洋アルミニウム、3.阪大院工、4.関西大院理工、5.名大未来機構、6.名大未来研)
キーワード：
SiGe、半導体、太陽電池
Al–Geペーストの印刷・焼成プロセスで作製したSiGe層に対し、Al濃度低減を目的とした熱酸化処理を施し、µ-PCDにより少数キャリア寿命への影響を評価した。酸化時間の増加に伴いAuger再結合に起因する短寿命成分τ1は増加した一方、SRH再結合に起因する長寿命成分τ2は減少し、高濃度Alドーピングによる再結合の抑制と、別の再結合要因の発生が示唆された。講演ではTOF-SIMSによるAl濃度の評価結果も併せて報告する。