[11a-E206-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[11a-E206-3] Evaluation of In-Plane Resistivity Distribution in Ag-Doped Mg₂Si Single Crystals by Four Point Probe Method: Effect of Geometrical Correction

〇Kosuke Shimano¹, Minoru Okawara¹, Shunya Sakane¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:

Mg2Si,in-plane resistivity distribution,geometrical correction

Mg₂Siは赤外検出器・熱電材料として期待され、電気特性の空間分布評価が重要である。本研究ではAg添加Mg₂Si単結晶に対し、プローブ間隔0.1mmおよび1.0mmの四探針法で面内抵抗率分布を測定し、試料サイズに起因する幾何補正の影響を検討した。