[11a-E206-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

9:30 〜 9:45

[11a-E206-3] 四探針法によるAg添加Mg₂Si単結晶の面内抵抗率分布と幾何補正の影響

〇島野 航輔¹、大河原 穣¹、坂根 駿也¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大)

キーワード：

Mg2Si、面内抵抗率分布、幾何補正

Mg₂Siは赤外検出器・熱電材料として期待され、電気特性の空間分布評価が重要である。本研究ではAg添加Mg₂Si単結晶に対し、プローブ間隔0.1mmおよび1.0mmの四探針法で面内抵抗率分布を測定し、試料サイズに起因する幾何補正の影響を検討した。