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[11a-E206-9]Synthesis and Characterization of Ba–Ag–Cu–Si Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy

〇(M1)Taiga Shinohara1, Kimimaru Kajihara1, Hikaru Takeshima2, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Tsukuba Univ., 2.Tosoh Corporation)

Keywords:

thermoelectric generation,eco-friendly materials,silicide semiconductors

Ba2AgSi3は室温付近で高いZTを示すが、構成元素に希少なAgを含むことが課題であり、その使用量低減に向けた材料設計が求められていた。前回、我々はAgと同じ11族で比較的豊富なCuでの置換に着目し、Ba–Ag–Cu–Si系薄膜の作製を報告した。本研究では、XRD測定および断面STEM-EDXを用いてCuの固溶状態を解析し、Ba2AgSi3とBa2CuSi3へ相分離していることを明らかにした。