[11a-E206-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[11a-E206-9] MBE法を用いたBa-Ag-Cu-Si薄膜の合成と特性評価

〇(M1)篠原 大河¹、梶原 君円¹、竹島 暉²、幸田 陽一朗²、召田 雅実²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

キーワード：

熱電発電、環境調和型材料、シリサイド半導体

Ba₂AgSi₃は室温付近で高いZTを示すが、構成元素に希少なAgを含むことが課題であり、その使用量低減に向けた材料設計が求められていた。前回、我々はAgと同じ11族で比較的豊富なCuでの置換に着目し、Ba–Ag–Cu–Si系薄膜の作製を報告した。本研究では、XRD測定および断面STEM-EDXを用いてCuの固溶状態を解析し、Ba₂AgSi₃とBa₂CuSi₃へ相分離していることを明らかにした。