[11a-E308-1~8] 17.1 Growth, Assembly, Structure control

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-E308-4] Work Function Changes in Graphene on SiO₂ Substrates Induced by Energy-Controlled Ar Plasma Treatment

〇Akito Fukuda¹, Tadashi Abukawa^2,1, Susumu Takabayashi³ (1.IMRAM Tohoku Univ., 2.SRIS Tohoku Univ., 3.NIT Ariake College)

Keywords:

Graphene,Photoemission-Assited Plasma,PEEM

優れた特性を持つ単層グラフェンのデバイス応用には電子状態制御が不可欠である。本研究では、エネルギー制御できる光電子制御プラズマによるグラフェンの構造制御を行い、PEEMによる局所二次電子分光から仕事関数への影響を評価した。結果、処理領域では未処理に比べ約0.3〜0.4 eVの仕事関数の低下を観測した。これはp型化に伴う表面ダイポールの緩和で説明でき、先行のXPS結果と整合する。