[11a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-N101-2] Effects of Device Geometry on Current Leakage in GaN-Based Quantum Shell Devices

〇Koki Yamada¹, Hiroki Teshima¹, Takuya Takahashi¹, Haruki Sawazaki¹, Haruki Hotta¹, Himari Suzuki¹, Koichi Naniwae², Kazumasa Niwa², Jyunya Iihama³, Yoshiro Kususe³, Masami Mesuda³, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution CO.LTD, 3.Tosoh Corporation)

Keywords:

nano wire,semiconductor laser,multi-quantum shell

コアシェル型ＧａＮナノワイヤを用いた半導体レーザ開発において、リーク電流の発生起源解明が課題である。同一成長条件のウエハからデバイス形状の異なるＬＥＤとＬＤを作製しI-V特性を評価した結果、ＬＥＤでは立ち上がり電圧が確認されたが、ＬＤでは確認されなかった。これよりデバイスの外周長や電極-メサエッジ間の距離といったメサエッジ近傍の複合的因子、および結晶面内均一性がリーク電流へ影響している可能性が示唆された。