[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[11a-N101-2] GaN系量子殻デバイスの形状が電流リークに与える影響

〇山田 航己¹、手島 弘喜¹、高橋 拓也¹、澤崎 晴喜¹、堀田 陽生¹、鈴木 ひまり¹、難波江 宏一²、丹羽 一将²、飯浜 準也³、楠瀬 好郎³、召田 雅実³、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹ (1.名城大理工、2.E＆E Evolution(株)、3.東ソー(株))

キーワード：

ナノワイヤー、半導体レーザー、多重量子殻

コアシェル型ＧａＮナノワイヤを用いた半導体レーザ開発において、リーク電流の発生起源解明が課題である。同一成長条件のウエハからデバイス形状の異なるＬＥＤとＬＤを作製しI-V特性を評価した結果、ＬＥＤでは立ち上がり電圧が確認されたが、ＬＤでは確認されなかった。これよりデバイスの外周長や電極-メサエッジ間の距離といったメサエッジ近傍の複合的因子、および結晶面内均一性がリーク電流へ影響している可能性が示唆された。