[11a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-N101-4] Proposal and Evaluation of a Full-Area Emission Structure for Stacked GaInN-Based Monolithic μLED Arrays

〇Koko Fukushima¹, Keisuke Takeya¹, Takumi Tsukamoto¹, Kazuya Takagi¹, Ren Takahashi¹, Yoshinobu Suehiro¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

LED,GaInN,monolithic micro LED array

積層型GaInN系モノリシックμLEDアレイでは、RGB積層構造により高精細ディスプレイへの応用が期待される一方、電極配置や副画素構造により発光領域が制限される課題がある。本研究では、導電性ビアによる局所的な電流注入とn型層内の横方向電流拡散を利用したピクセル全面発光構造を提案した。220 ppiデバイスを作製・評価した結果、全発光層において高輝度領域がピクセル全面に形成され、提案構造の有効性を示した。