講演情報
[11a-N101-4]積層型GaInN系モノリシックμLEDアレイにおけるピクセル全面発光構造の提案と評価
〇福島 瑚子1、竹谷 圭右1、塚本 拓実1、高木 一哉1、高橋 廉1、末広 好伸1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大)
キーワード：
LED、GaInN、モノリシックμLEDアレイ
積層型GaInN系モノリシックμLEDアレイでは、RGB積層構造により高精細ディスプレイへの応用が期待される一方、電極配置や副画素構造により発光領域が制限される課題がある。本研究では、導電性ビアによる局所的な電流注入とn型層内の横方向電流拡散を利用したピクセル全面発光構造を提案した。220 ppiデバイスを作製・評価した結果、全発光層において高輝度領域がピクセル全面に形成され、提案構造の有効性を示した。