Presentation Information
[11a-PA6-10]Growth of InN layer by plasma-enhanced LPE method (Ⅳ)
〇(M1)Ryota Yamashiro1, Naoto Kato1, Daiki Hirose1, Fusuke Matsumura1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
InN,Liquid Phased Epitaxy
新規の結晶成長法として，プラズマLPE（Plasma-enhanced Liquid Phased Epitaxy）法を用いたGaNやInN層の成長について検討している．Al2O3基板上へInN層を直接成長させると面内において30°の回転ドメインが生じてしまう．そこで今回は，回転ドメインを抑えるため，GaN層上に，プラズマLPE法を用いてInN層の成長を行ったのでその結果について報告する．