講演情報
[11a-PA6-10]プラズマLPE法によるInN層の成長（Ⅳ）
〇(M1)山城 稜太1、加藤 直人1、廣瀬 大輝1、松村 風翼1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化インジウム、液相成長
新規の結晶成長法として，プラズマLPE（Plasma-enhanced Liquid Phased Epitaxy）法を用いたGaNやInN層の成長について検討している．Al2O3基板上へInN層を直接成長させると面内において30°の回転ドメインが生じてしまう．そこで今回は，回転ドメインを抑えるため，GaN層上に，プラズマLPE法を用いてInN層の成長を行ったのでその結果について報告する．