Presentation Information
[11a-PA6-2]Growth of GaN layer by plasma-enhanced LPE method(VI)
〇(M1)Naoto Kato1, Kento Kawai1, Daiki Hirose1, Fusuke Matsumura1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
GaN,Liquid phase epitaxy
我々は，プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN層の成長について検討を行っている．本方法は，基板上に液体Gaを堆積したのち，窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することでGaN層を成長することができる．そこで今回は，プラズマLPE法においてガス圧力を変化させることで窒素の供給量を制御し，得られたGaN層の結晶性等について検討を行ったので報告する．