講演情報
[11a-PA6-2]プラズマLPE法によるGaN層の成長（VI）
〇(M1)加藤 直人1、川井 賢士1、廣瀬 大輝1、松村 風翼1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化ガリウム、液相成長
我々は，プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN層の成長について検討を行っている．本方法は，基板上に液体Gaを堆積したのち，窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することでGaN層を成長することができる．そこで今回は，プラズマLPE法においてガス圧力を変化させることで窒素の供給量を制御し，得られたGaN層の結晶性等について検討を行ったので報告する．