Presentation Information
[11a-PA6-21]Surface Morphology and Crystallinity of High-Temperature-Annealed ECR-Sputtered AlN Buffer Layers and GaN Thin Films
〇(M2)Futa Chiba1, Hiroshi Suga1, Hironori Torii2 (1.ChibaTech, 2.JSW AFTY)
Keywords:
GaN,AlN,ECR plasma
GaN薄膜の高品質化に向け、ECRスパッタ法を用いてc面サファイア基板上にAlNバッファ層を形成し、大気圧高温アニール処理を施した。アニール条件がAlN膜の表面形状および結晶性に及ぼす影響をAFMおよびXRDにより評価し、GaN成長用バッファ層としての有効性を検討した。高密度プラズマを利用した低コストプロセスによる高品質GaN成長への可能性について報告する。