講演情報
[11a-PA6-21]高温アニールECRスパッタ-AlNバッファ層とECRスパッタ-GaN薄膜の表面形状と結晶性の評価
〇(M2)千葉 楓太1、菅 洋志1、鳥居 博典2 (1.千葉工大、2.JSWアフティ)
キーワード：
窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ECRプラズマ
GaN薄膜の高品質化に向け、ECRスパッタ法を用いてc面サファイア基板上にAlNバッファ層を形成し、大気圧高温アニール処理を施した。アニール条件がAlN膜の表面形状および結晶性に及ぼす影響をAFMおよびXRDにより評価し、GaN成長用バッファ層としての有効性を検討した。高密度プラズマを利用した低コストプロセスによる高品質GaN成長への可能性について報告する。