Presentation Information
[11a-PA6-4]Growth of InN layer by plasma-enhanced LPE method(I)
〇(M1)Gen Takahashi1, Ryota Yamashiro1, Fusuke Matsumura1, Daiki Hirose1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
InN,Liquid phase epitaxy
液相エピタキシー（LPE）法の1つであるプラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN系半導体の成長について検討を行っている．前回までは，プラズマLPE法を用いてGaNの結晶成長を行い，その結晶性等について報告した．今回は，基板上にInを堆積したのち，窒素プラズマをInへ照射することでInNの結晶成長を試みたので，その結果について報告する．