講演情報
[11a-PA6-4]プラズマLPE法によるInN層の成長（I）
〇(M1)高橋 元1、山城 稜太1、松村 風翼1、廣瀬 大輝1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化インジウム、液相成長
液相エピタキシー（LPE）法の1つであるプラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN系半導体の成長について検討を行っている．前回までは，プラズマLPE法を用いてGaNの結晶成長を行い，その結晶性等について報告した．今回は，基板上にInを堆積したのち，窒素プラズマをInへ照射することでInNの結晶成長を試みたので，その結果について報告する．