Presentation Information
[11a-PA6-6]Growth of InN layer by plasma-enhanced LPE method (II)
〇(M1)Kento Kawai1, Haruto Kitamura1, Fusuke Matsumura1, Daiki Hirose1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
InN,Liquid phase epitaxy
プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたInN層の成長について検討を行っている．InNは熱的安定性が比較的低く，成長時にInNの分解が生じやすい．そのため，InN層の成長条件と得られる結晶性の関係を明らかにすることが重要である．今回は，基板温度を変化させてInN層を成長し，その表面形態等の検討を行ったので報告する．