Presentation Information
[11a-PA6-8]Growth of InN layer by plasma-enhanced LPE method (III)
〇(M1)Haruto Kitamura1, Gen Takahashi1, Fusuke Matsumura1, Daiki Hirose1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
InN,Liquid phase epitaxy
プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN系半導体の成長について検討を行っている．本方法は，基板上に堆積したGaやInへ窒素プラズマを照射することによって窒化物層を成長させることが可能である．今回は，窒素プラズマを発生させるRF電力を変化させてInN層の成長を行い，得られた表面形態や結晶性について検討を行ったので報告する．