講演情報
[11a-PA6-8]プラズマLPE法によるInN層の成長（Ⅲ）
〇(M1)北村 元人1、高橋 元1、松村 風翼1、廣瀬 大輝1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化インジウム、液相成長
プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN系半導体の成長について検討を行っている．本方法は，基板上に堆積したGaやInへ窒素プラズマを照射することによって窒化物層を成長させることが可能である．今回は，窒素プラズマを発生させるRF電力を変化させてInN層の成長を行い，得られた表面形態や結晶性について検討を行ったので報告する．