Presentation Information
[11a-PB1-10]Method of ringing noise reduction for GaN-HEMT switching circuits (II)
〇Toshihide Ide1, Ryosaku Kaji1, Katsumi Furuya1 (1.AIST)
Keywords:
GaN,Switching,Ringing
GaN-HEMTを用いるとターンオン/オフ時間が短くスイッチング時間・損失の抑制が可能なため回路の小型化等のメリットがある。しかし、高速化によりリンギングノイズの増大という問題があった。前回、我々はGaN-HEMTにつながる配線の寄生インダクタンスを活用した簡便なノイズ低減回路を提案した。本研究では、ノイズ低減回路の抑制効果について伝達関数の計算結果と他材料半導体スイッチング素子を用いた結果について報告する。