講演情報
[11a-PB1-10]GaN-HEMTスイッチング回路におけるリンギングノイズ低減手法（Ⅱ）
〇井手 利英1、鍛冶 良作1、古屋 克己1 (1.産総研)
キーワード：
GaN、スイッチング、リンギング
GaN-HEMTを用いるとターンオン/オフ時間が短くスイッチング時間・損失の抑制が可能なため回路の小型化等のメリットがある。しかし、高速化によりリンギングノイズの増大という問題があった。前回、我々はGaN-HEMTにつながる配線の寄生インダクタンスを活用した簡便なノイズ低減回路を提案した。本研究では、ノイズ低減回路の抑制効果について伝達関数の計算結果と他材料半導体スイッチング素子を用いた結果について報告する。