Presentation Information
[11a-PB1-15]Characterization of Inversion-Mode n-Channel GaN MOSFETs Fabricated Using a Low-Damage Interface Formation Process
〇Hiroto Akabane1, Masanobu Takahashi1, Masamichi Akazawa1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)
Keywords:
GaN
GaN表面あるいはMOS界面に極力損傷を与えない作製プロセスにより試作した原子層堆積法（ALD）によるAl2O3を酸化膜に有する反転型fat gate GaN MOSFETに対して容量－電圧（C–V）測定による評価を加え、反転層の挙動および閾値電圧を評価するとともに、MOS界面近傍の欠陥との関連について考察した結果を報告する。