講演情報
[11a-PB1-15]低損傷界面形成反転型nチャネルGaN MOSFETの特性評価
〇赤羽 陽斗1、高橋 尚伸1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
窒化ガリウム
GaN表面あるいはMOS界面に極力損傷を与えない作製プロセスにより試作した原子層堆積法（ALD）によるAl2O3を酸化膜に有する反転型fat gate GaN MOSFETに対して容量－電圧（C–V）測定による評価を加え、反転層の挙動および閾値電圧を評価するとともに、MOS界面近傍の欠陥との関連について考察した結果を報告する。