Presentation Information
[11a-PB1-16]X-ray diffraction analysis of highly Ge-doped GaN deposited by reactive sputtering
〇Kenji Ito1, Kazuyoshi Tomita1, Tetsu Kachi1 (1.IMaSS, Nagoya Univ.)
Keywords:
nitride semiconductor,x-ray diffraction,impurity doping
反応性スパッタによりGaN基板上に高濃度Ge添加GaNを成膜した。X線回折スペクトルによる評価から600℃以上の堆積温度では温度上昇に伴い、成膜速度およびGe濃度ともに減少することを明らかにした。またc軸方向の格子定数の変化からGe-Nの結合距離を見積り、Si添加におけるSi-Nと比較してGa-Nとの差が半分以下であることを示した。